正电子湮灭表征用于半导体材料制备工艺参数的改进研究

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正电子湮灭表征技术是一种重要的材料分析方法。当正电子与电子相遇时，它们会发生湮灭反应，产生两个能量为511千电子伏特的伽马射线光子。通过检测这些伽马射线的特性，我们可以获得材料内部缺陷、空隙和电子结构的详细信息。 正电子湮灭技术在半导体材料缺陷检测中发挥重要作用。正电子在材料中扩散时，会被空位、位错等缺陷捕获。由于缺陷处的电子密度较低，正电子在这些位置的寿命更长，湮灭特性也会发生变化。通过分析湮灭信号，可以准确识别和定量分析各种缺陷类型。