正电子湮灭用于半导体材料制备工艺参数的研究

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正电子是电子的反粒子，具有与电子相同的质量但相反的电荷。当正电子与电子相遇时，会发生湮灭反应，产生两个能量为511千电子伏特的伽马射线光子。这些光子沿相反方向发射，携带着材料内部缺陷的重要信息，为半导体材料的无损检测提供了独特的探测手段。 正电子湮灭谱学技术主要包括两种方法。正电子湮灭寿命谱测量正电子从产生到湮灭的时间分布，不同类型的缺陷会导致不同的寿命成分。多普勒展宽谱则测量511千电子伏特湮灭峰的展宽程度，通过S参数和W参数的分析可以区分不同的缺陷类型和电子环境。