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厄利效应是双极型晶体管中的一个重要现象。当我们增加集电极到基极之间的反向偏置电压时，集电极-基极结的耗尽区会变宽，这会导致基区的有效宽度减小。这种基区宽度的变化会显著影响晶体管的电流特性和输出特性。
基区宽度调制是厄利效应的核心机理。当集电极-基极反向偏置电压增加时，耗尽区会向掺杂浓度较低的基区扩展。这导致基区的有效中性区域宽度减小。基区宽度的减小使得从发射区注入的载流子到达集电区的传输距离缩短，减少了在基区的复合损失，从而增加了集电极电流。
厄利效应对晶体管特性产生多方面影响。首先，集电极电流会随着集电极-发射极电压的增加而略微增加，这与理想情况下的水平特性曲线不同。其次，由于基区复合减少，电流增益会略微增加。最重要的是，厄利效应使得晶体管的输出电阻变为有限值，而不是理想情况下的无穷大。我们可以通过厄利电压来量化这种效应的强弱。
厄利电压是量化厄利效应强弱的重要参数。它定义为集电极电流与其对集电极-发射极电压偏导数的比值。在输出特性曲线族中，将各条曲线延长，它们会在负电压轴上的同一点相交，这个交点的电压绝对值就是厄利电压。厄利电压越大，表示厄利效应越弱，晶体管的输出电阻也越大。输出电阻等于厄利电压除以集电极电流。
厄利效应在实际电路应用中具有重要意义。它直接影响放大器的增益稳定性，因为输出电阻的变化会改变电路的整体增益。在模拟电路设计中，工程师必须考虑厄利效应对电路性能的影响，特别是在高精度放大器和运算放大器的设计中。厄利效应还会影响电路的频率响应特性。总的来说，厄利效应是双极型晶体管的一个重要非理想特性，理解和掌握这一效应对于电子电路的设计和分析至关重要。